Research indexJournal article
Изменения микротвердости и диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС после их экспозиции в постоянном магнитном поле или в скрещенных ультранизких полях в схеме ЭПР
Петржик, Иванова, Alshits
Известия Российской академии наук Серия физическая1 Jan 2014
NobleIDark:/48914/w1/20260515/FDA6D2A4DOI10.7868/s0367676514100172
Journal article
Изменения микротвердости и диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС после их экспозиции в постоянном магнитном поле или в скрещенных ультранизких полях в схеме ЭПР
Петржик, Иванова, Alshits · Известия Российской академии наук Серия физическая · 2014 · Subscription
NobleIDark:/48914/w1/20260515/FDA6D2A4DOI10.7868/s0367676514100172