B和H离子顺次注入单晶Si 引起的缺陷及其热演变(英文)

室温下将130 keV，5x1014 cm-2 B离子和55 keV，1x1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中，采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT) 研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示，B 和H 离子顺次注入到单晶Si 可有效减少(111) 取向的H板层缺陷，并促进了(100) 取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT 观测结果显示，在顺次注入的样品中，B 离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明，B离子本身及B 离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。 Abstract：Cz n-typ... View More