Экспериментально обнаружены и исследованы различные пики в спектре комбинационного рассеяния (КРС) образцов кремния, имплантированных ионами меди. На основе данных КРС, полученных для образцов с различными режимами имплантации Сu и лазерного отжига, исследована динамика трансформации микроскопической структуры приповерхностного слоя кремния. Полученные экспериментальные данные хорошо объясняются наличием локальных атомов Сu в узлах кристаллической решетки.