Research indexJournal article
Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица--Косевича с переменной эффективной массой носителей
Романов, Кожевников, Машков and 1 other
Физика и техника полупроводников1 Jan 2020Open access
NobleIDark:/48914/w1/20260525/33ED551ADOI10.21883/ftp.2020.12.50233.9493
Описание осцилляций намагниченности кремниевой наноструктуры в слабых полях при комнатной температуре. Формула Лифшица--Косевича с переменной эффективной массой носителей
Романов, Кожевников, Машков and 1 other · Физика и техника полупроводников · 2020
NobleIDark:/48914/w1/20260525/33ED551ADOI10.21883/ftp.2020.12.50233.9493
Abstract
Развит формализм статистического подхода к описанию осцилляций де Гааза--ван Альфена, известного как формула Лифшица--Косевича, применительно к низкоразмерной системе с зависящей от внешнего магнитного поля эффективной массой носителей. Статистический подход позволяет провести более детальную интерпретацию полученных в эксперименте результатов и провести анализ взаимосвязи обнаруженной нами зависимости эффективной массы носителя с индивидуальными особенностями структуры кремниевого наносандвича, обусловленными формированием в его составе negative-U delta-барьеров. Ключевые слова: формула Лифшица--Косевича, эффект де Гааза-ван Альфена, кремниевый наносандвич, эффективная масса, размерное квантование.