На основе исследований туннельно-эмиссионных вольтамперных характеристик коллоидных квантовых точек CdSe, PbS, InSb и модели одноэлектронного транспорта определены важнейшие параметры квантовых точек – эффективная масса электрона, диэлектрическая проницаемость, энергия потенциального барьера туннелирования, линейный размер квантово-ограниченного резонансного движения электрона (размер квантовой точки). Сопоставления полученных параметров квантовых точек с аналогичными для объёмных полупроводников показывает их хорошее соответствие, что может свидетельствовать как о правомерности полученных параметров, так и о возможности использования моделей и свойств объёмных полупроводников применительно к квантовым точкам. На основании полученных данных и при продолжении исследования возможно создание метода и программно-аппаратного комплекса для промышленного контроля основных параметров квантовых точек.