Діелектрична спектроскопія широко використовується для дослідження електронних матеріалів. При обробці експериментальних даних для отримання параметрів досліджуваного матеріалу часто використовують релаксаційні моделі. Проте, при дослідженні композиційних матеріалів з резонансними компонентами, кристалів і полікристалів, структура яких є багатодоменною або характеризується високою ангармонічністю, перевагу слід віддавати осциляторним моделям. У статті детально розглянуто модель діелектричного дисперсійного осцилятора. Особливу увагу приділено випадку осцилятора з надвеликим загасанням. Визначено, що головною ознакою резонансної дисперсії є наявність мінімуму в частотної залежності дійсної частини діелектричної проникності.