Эффективная 2D аналитическая модель распределения потенциала в рабочей области коротко-канального полностью обедненного КМОП транзистора с полностью охватывающим затвором разработана. Модель сформулирована на основе аналитического решения уравнения Пуассона в цилиндрических координатах. Выполнены компьютерные расчеты распределения потенциала для широкого диапазона топологических параметров. Сопоставление результатов расчетов с данными моделирования программного пакета ATLASTM, доказывает приемлемое соответствие между ними Effective 2D analytical distribution model of potential in work area of short - channel fully depleted surrounding gate CMOS transistor is developed. The model is formulated on the basis of an analytical solution of Poisson equation in cylindrical coordinates. Computer calculations of potential distribution for the broad range of topological parameters are executed. Comparison of calculation results to data of modeling of the ATLASTM software package, proves acceptable compliance between them.