Σκοπός της διπλωματικής εργασίας είναι η μελέτη νανοδομημένων καταλυτικών υποστρωμάτων άνθρακα-νικελίου, προκειμένου να χρησιμοποιηθούν για την ανάπτυξη νανοσωλήνων άνθρακα (CNTs) με χημική εναπόθεση ατμών σε συνθήκες χαμηλής πίεσης (LP-CVD). Οι καταλύτες που χρησιμοποιήθηκαν έχουν παραχθεί με δύο μεθόδους ιοντοβολής (Sputtering), 1) την συνεστιακή μαγνητική ιοντοβολή διπλής καθόδου (DCMS) και 2) την αντιδρώσα μαγνητική ιοντοβολή (RMS). Mέσω των δύο μεθόδων παρήχθησαν καταλυτικά υποστρώματα μη-υδρογονωμένης (α-C:Ni) και υδρογονωμένης (α-C:H:Ni) μήτρας άνθρακα με εγκλείσματα Ni, αντίστοιχα, προκειμένου να διαπιστωθούν οι διαφορές κατά την ανάπτυξη των νανοσωλήνων άνθρακα που θα οφείλονται στη φύση της άμορφης μήτρας και στη χημική κατάσταση του Ni. Στα πλαίσια της εργασίας σχεδιάστηκε και παραμετροποιήθηκε η πειραματική διάταξη (LP-CVD) στην οποία έγιναν τα περισσότερα πειράματα μας, και έγινε σύγκριση των παραγόμενων νανοσωλήνων και με εναπόθεση σε ατμοσφαιρική πίεση (ΑP-CVD). Τόσο στα υποστρώματα όσο και στους νανοσωλήνες έγινε χημικός χαρακτηρισμός της επιφάνειας με Φασματοσκοπία Φωτοηλεκτρονίων από ακτίνες-Χ (XPS), ενώ ο δομικός χαρακτηρισμός έγινε με Περίθλαση ακτίνων-Χ (XRD) και Φασματοσκοπία Raman. Διαπιστώθηκε ότι οι καταλύτες μη υδρογονωμένης μήτρας άνθρακα (α-C:Ni) είναι καταλληλότεροι καταλύτες για την ανάπτυξη νανοσωλήνων άνθρακα, καθώς και ότι η LP-CVD είναι σε μεγάλο βαθμό προτιμητέα μέθοδος ανάπτυξης.