В данной работе была исследована температурная эволюция интенсивности сверхструктурных рефлексов в тонких пленках антисегнетоэлектрика цирконата свинца методом рассеяния синхротронного излучения. Выявлено наличие промежуточной фазы, характеризующейся сверхструктурными рефлексами M типа, не реализующейся в том же материале в виде монокристаллов. В определенном диапазоне температур промежуточная фаза сосуществует с антисегнетоэлектрической. Обнаружено, что значительные эпитаксиальные напряжения присутствуют только в пределах очень тонкого сильнодефектного приинтерфейсного слоя.