Поликристаллические алмазные пленки перспективны для создания детекторов рентгеновского излучения. В настоящей работе изучено влияние отжига поликристаллической алмазной пленки в атмосфере аммиака при 600 °C на химическое состояние поверхности и фотопроводимость при облучении тормозным излучением рентгеновской трубки с медным анодом. Алмазная пленка была синтезирована методом газофазного осаждения из активированной СВЧ-разрядом смеси водорода и пентана. Токопроводящие электроды в форме периодической встречно-штыревой гребенки меандрового типа были сформированы на ее поверхности в результате облучения ультрафиолетовым лазером с длиной волны 355 нм. Исследование химического состояния поверхности выполнено методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. Установлено, что отжиг в аммиаке изменяет состав и структуру поверхности исходной алмазной пленки и участков, обработанных лазером. Аминогруппы присоединяются к поверхности алмазной пленки (содержание азота около 1 ат%), повышая ее электропроводность. На участках, обработанных лазером, обнаружено около 7 ат% азота в графитовой и пиридиновой формах и в составе аминогрупп. Химическая модификация образца и повышение структурной упорядоченности углеродного материала токопроводящих электродов привели к увеличению фотопроводимости алмазной пленки при поглощении мягкого рентгеновского излучения.