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基于自对准高阶表面光栅的复耦合分布反馈半导体激光器
Shuo, Miao, lei and 11 others
Chinese Journal of Luminescence1 Jan 2026Open access
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基于自对准高阶表面光栅的复耦合分布反馈半导体激光器
Shuo, Miao, lei and 11 others · Chinese Journal of Luminescence · 2026
Abstract
器件的实际脊宽、 光栅周期和刻蚀深 度分别约为 7.2 μm、 8.1 μm 和 1.52 μm， 实现折射率与增益复耦合 ， 室温下当注入电流为 720 mA 时 ， 最大输出 功 率 62.7 mW