非水解溶 胶-凝胶法低温制备硅酸锆薄膜

采用非水解溶胶-凝胶法于n型单晶硅基片表面制备出硅酸锆薄膜,并对其相组成及表面形貌进行了研究。运用XRD和FE-SEM研究了热处理温度、前驱体浓度和镀膜次数对硅酸锆合成及薄膜形貌的影响。结果表明：在矿化剂Li F引入的条件下,750℃时可以合成硅酸锆粉体,850℃时可以制备出致密光滑的硅酸锆薄膜。与粉体的合成相比,薄膜生长属于二维传质,矿化剂作用于薄膜制备时,反应活性效果减弱。在该温度下,前驱体浓度为0.7 mol·L^-1时,通过两次镀膜可以获得表面光滑,致密无开裂的硅酸锆薄膜,而继续升高热处理温度则会导致晶粒长大,加剧二次再结晶作用,薄膜的致密性下降。