Пленки оксидов тербия, полученные химическим осаждением из паров трис-дипивалоилметаната тербия

Пленки оксида тербия получены на подложках Si (111) разложением паров Tb(dpm)3 в токе аргона при температурах Tb(dpm)3 170 и 190°C и температурах подложек 470–550°C. Отжиг пленок проводили на воздухе при температурах 400, 650 и 800°C. Методом РФА установлено, что пленки, полученные методом химическо... View More