رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
Published in SHILAP Revista de lepidopterología • Nov 21, 2016
NobleIDNI0P41W17R03S18
Authors:,,
عصمت اسمعیلی
محمد مردانی
حسن ربانی
Abstract
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتای...
Subject
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!