Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
Published in Физика и техника полупроводников • Jan 1, 2017
Authors:,,
А.С. Гращенко
Н.А. Феоктистов
А.В. Осипов
Abstract
Представлены данные экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик структур кремний-карбид кремния, выращенных методом замещения атомов на подложках кремния ориентаций (100) и (111). Установлено, что максимальная эффективность преобразования солнечного света для гетероперехода кремни...
Subject
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!