РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ ДЛЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ МЕТАЛЛОПОЛИМЕРНЫХ КОРПУСОВ
Published in Прикладная математика & Физика • May 12, 2020
NobleIDNI6P16W27R50S81
Authors:,,
E. А. Кульченков
С. Б. Рыбалка
А. А. Демидов
Abstract
Выполнен расчет характеристик охранной системы карбидокремниевых 4H-SiC диодов Шоттки с использованием метода физического моделирования и установлены оптимальные конфигурации (уровни легирования и толщины эпитаксиального слоя 4H-SiC) структуры диода для получения высоких значений пробивного напряжен...
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!