Технология изготовления внутрикристальных и межкристальных межсоединений современных СБИС (Обзор, концепция развития)
Published in Микроэлектроника • Jan 1, 2015
Authors:,
A.S. Valeev
Г Я Красников
Abstract
Выполнен анализ технологических операций при изготовлении многоуровневых межсоединений современных СБИС методом Двойной Дамасцен и выделены проблемные операции. 1) Травление пористой внутриуровневой изоляции с ультра низким значением диэлектрической постоянной. 2) Нанесение металлических барьерного ...
Subject
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!