МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕКТРОННОГО ПЕРЕНОСА В ЭЛЕМЕНТАХ ФЛЕШ-ПАМЯТИ

На основе кинетического метода Монте-Карло проведено численное моделирование электронного переноса в кремниевых короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся базовым элементом современных микросхем флеш-памяти. С помощью данного моделирования рассчитано влияние затворного напряж... View More