Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения

Разработана новая количественная модель латентного накопления поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения и длительного отжига. Модель базируется на образовании под воздействием ионизирующего облучения ионов водорода H + не только в тонком подзатворном диэлектрике, но и в ... View More