Методы исправления последствий отказов в блоках статической оперативной памяти
Published in Труды НИИСИ РАН. • Mar 6, 2017
NobleIDNI1P17W46R80S33
Authors:
Щигорев Л.А.
Abstract
В связи с проектированием в ЗАО НТЦ «Модуль» мультипроцессорных СБИС по технологиям суб-100-нм, становится актуальным вопрос о применении методов обхода поврежденных элементов статической оперативной памяти. Т.к. статическая память может занимать более половины площади всей микросхемы именно её вкла...
Subject
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!