ИССЛЕДОВАНИЕ ПОТЕНЦИАЛА НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКЕ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТИ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОПРИВОДА

В данной статье рассматриваются традиционные полупроводниковые материалы (ПМ) и ограничения их использования. Исследуются современные ПМ, такие как карбид кремния (SiC) и галлий нитрид (GaN), а также их преимущества по сравнению с традиционными. Анализируется влияние новых материалов на особенности ... View More