МЕТОД ДИАГНОСТИРОВАНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ В ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ: ОЦЕНКА РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ И ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДОВЕРЕННОСТИ

На примере интегральных микросхем (ИС) линейных стабилизаторов (ЛС) напряжения показано, что регистрация откликов на радиационное воздействие позволяет диагностировать наличие изменений в их топологии.