ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ И ПРИБОРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА ТРАНШЕЙНОГО ТИПА
Published in Международная Звенигородская конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу • Jun 30, 2026
Authors:,,
Л.Д. Десятов
М.А. Потапов
С.А. Шевченко
Abstract
В работе рассматриваются технологические процессы формирования траншейных транзисторных структур на основе карбида кремния с использованием ПО TCAD. Получена топология, обеспечивающая напряжение пробоя UDS = 1500 В при сопротивлении во включенном состоянии RDSon = 40 мОм и пороговом напряжении Vth =...
Finding related papers...
Discussions
(0)No comments yet
Be the first to share your thoughts!